标准型等离子体化学气相淀积台(PECVD-1D)
本设备可用来淀积SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等多种薄膜材料，这些薄膜材料在微电子、微机械、光电子、通讯等领域有着广泛的应用；在能源材料、机械材料、各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性中，也显示出独特的功能和巨大的潜力。
详细描述
本设备通过对工艺的有效控制，可获得较好的均匀性、粘附性以及较好的重复性，并广泛应用于相关领域的器件研发和制造。
产品主要性能指标
型号 | PECVD-1D |
真空系统 | 分子泵机组 |
淀积室数量 | 单室 |
淀积室规格 | ø400×150mm |
样片台尺寸 | ø290mm（热均匀区ø220mm） |
加热温度 | ≤ 300℃ |
淀积材料 | SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等 |
淀积速率 | 200 ～300 Å/min （与淀积材料和工艺有关） |
淀积不均匀性 | ≤ ±5% |
操作方式 | 手动 |
