“刻蚀—溅射”组合机
“刻蚀–溅射”组合机（JR-2B）、“刻蚀–淀积”组合机（CVE-2B）、“刻蚀–淀积”组合机（ICV-500）和“溅射–淀积”组合机（JCV-2B）都是根据用户要求需设计的，就其功能和性能指标而言与溅射台、淀积台、刻蚀机都是相同的，其主要特点是省去了一套电源系统和真空获得系统，从而以相对优惠的价格满足不同用户的要求.
产品主要性能指标
型号 | JR-2B |
真空系统 | 分子泵机组 |
刻蚀室规格 | ø300×100mm |
刻蚀电极尺寸 | ø200mm |
刻蚀材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蚀速率 | 0.1 – 1 μ/min （与刻蚀材料和工艺有关） |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |
溅射室规格 | ø450×360mm |
溅射靶规格 | ø80mm |
溅射靶数量 | 1-4可选 |
溅射材料 | AI、Au、Cr、Ti、Ni、Cu、W、SiO2、各种介质膜、金属膜、合金膜等。 |
溅射样片台加热温度 | 600℃ |
刻蚀不均匀性 | ≤±4% |
